放电等离子快速烧结SiC晶须增强Si3N4/BN层状复合材料

• 作者: 李淑琴 李翠伟 汤珂 汪长安 黄勇
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 放电等离子烧结 层状复合材料 Si3N4
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1220-1226
• 页数: 7页
• 分类号: TB33
• 字数: 3498字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.023

摘要

采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结了SiC晶须增强的Si3N4/BN层状复合材料.利用SPS技术,在烧结温度为1650℃、保温15min的条件下,材料的密度可达3.18g/cm3,抗弯强度高达600MPa,断裂功达到3500J/m2.研究表明:特殊的层状结构、SiC晶须的拔出与折断是材料断裂功提高的主要原因.X射线衍射及扫描电子显微镜研究表明:α-Si3N4已经在短短的烧结过程中全部转变成长柱状的β-Si3N4,并且长柱状的β-Si3N4和SiC晶须具有明显的织构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄勇	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	173	2711	27.0	42.0
2	汪长安	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	102	944	16.0	24.0
3	李淑琴	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	4	50	3.0	4.0
4	李翠伟	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	5	46	4.0	5.0
5	汤珂	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	5	17	1.0	4.0