355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

• 作者: 刘玉芳 孙金锋 施德恒
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 化学
• 关键词: 四甲基硅 多光子解离电离 多光子电离解离 反应动力学 质谱
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 激光物理与激光化学
• 页码范围: 218-222
• 页数: 5页
• 分类号: O657.63
• 字数: 3208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2002.03.007

摘要

在355 nm的激光作用下,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3)4分子多光子电离(MPI)质谱分布.测量了Si(CH3)+4,Si(CH3)+3,Si(CH3)+2,Si(CH3)+及Si+离子的激光光强指数,检测了这5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系.据此,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道,得到了Si+主要来自于母体分子的多光子解离-硅原子的电离,Si(CH3)+n(n=1,2,3)主要来自于中性碎片Si(CH3)n(n=1,2,3)的自电离,Si(CH3)+4来自于母体分子的(3+1)电离的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施德恒	河南师范大学物理系	74	593	15.0	21.0
3	刘玉芳	河南师范大学物理系	156	576	11.0	17.0
6	孙金锋	河南师范大学物理系	108	436	12.0	17.0