微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟

• 作者: 关颖 周辉 张义门 郭红霞 陈世斌 陈雨生 韩福斌 龚仁喜 龚建成
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 微电路 增强光电流模型 Wirth-Rogers光电流模型 过剩少数载流子 高阻材料
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TN99
• 字数: 3017字
• 语种: 中文

摘要

用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的.该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段.