非晶As2S3半导体薄膜在激光作用下的性能及结构研究

• 作者: 刘启明 干福熹
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶As2S3半导体薄膜 光致暗化 光致结晶
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 925-928
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2002.10.016

摘要

在激光辐照或退火作用下,As2S3非晶半导体薄膜的光学吸收边出现红移现象,并且随着激光功率的增大和辐照时间的延长,红移值增大,并最后达到饱和.这种红移在先经过退火处理再激光辐照的薄膜中是可逆的.从扫描电镜的形貌图中也可以看出,经激光辐照后,薄膜表面有晶相出现,且随着激光功率的增加,晶相出现增多.As2S3非晶半导体薄膜中光致效应的产生是由于光致结构变化所致,对其产生原因,进行了机理分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	刘启明	中国科学院上海光学精密机械研究所	18	426	9.0	18.0