电化学法制备p型Cu2O半导体薄膜及其性能的表征

• 作者: 武卫兵 燕子鹏 蔡舒
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 氧化亚铜 电化学沉积 薄膜
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 陶瓷材料
• 页码范围: 121-124
• 分类号: O64
• 语种: 中文

摘要

采用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上沉积出Cu2O薄膜的基础上,研究了络合剂种类、沉积电位和溶液pH值对Cu2O薄膜结构和性能的影响.结果表明:在以乳酸为络合剂的电解液中沉积出的Cu2O薄膜的晶粒尺寸比以三乙醇胺为络合剂的电解液中沉积出的薄膜晶粒尺寸大,结晶度好,致密度更高;在含有乳酸络合剂的溶液中,随沉积电位的提高,薄膜成核密度增大,晶粒尺寸减小,致密度提高;随pH值增加,制备的薄膜晶向由沿(200)取向变为沿(111)取向.经Mott-Schottky曲线和紫外-可见光透射光谱计算表明,所获得的Cu2O薄膜具有p型半导体性能,禁带宽度为1.93 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡舒	天津大学材料科学与工程学院	50	455	14.0	19.0
2	武卫兵	济南大学材料科学与工程学院	5	25	2.0	5.0
3	燕子鹏	天津大学材料科学与工程学院	2	29	2.0	2.0