p型Cu2O 半导体薄膜的电化学沉积研究

• 作者: 梁建 江毅 胡飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化亚铜 电沉积 温度 电流密度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 952-956
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 3347字
• 语种: 中文

摘要

以透明导电玻璃(ITO)和铜片为工作电极,用简单铜盐通过阴极还原制备了Cu2O 薄膜.采用X射线衍射(XRD) 和扫描电镜(SEM)研究了反应温度、pH值和电流密度对Cu2O 薄膜的微观结构和表面形貌的影响,并对薄膜的生长机理进行了讨论.结果表明:溶液的温度对Cu2O晶体的微观结构无显著影响,而溶液的pH值对Cu2O 的生长取向影响明显.在双电极的作用下,电沉积Cu2O薄膜的工作电流可以达到6 mA·cm-2,远远高于文献报导在三电极体系下低于1 mA·cm-2的工作电流密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡飞		28	129	7.0	10.0
2	江毅		27	129	5.0	10.0
3	梁建		2	29	2.0	2.0