同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究

• 作者: 张波 胡宗波
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 同步整流 金属氧化物半导体场效应晶体管 双向导电 功率损耗
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 88-93
• 页数: 6页
• 分类号: TM1
• 字数: 3793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-8013.2002.03.018

摘要

该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础.同步整流效率取决于MOSFET整流损耗,为此,该文基于MOSFET的等效损耗模型,深入研究了MOSFET整流损耗与其参数、栅极驱动电压和开关工作频率的相互关系,得到MOSFET同步整流效率曲线.此外,文中还对输出大电流时MOSFET整流损耗和肖特基二极管整流损耗进行了比较,提出了大电流运行时多管MOSFET并联整流方式.该文的工作对同步整流器中开关频率、栅极驱动电压、单管或多管并联运行方式的选择具有实际指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	华南理工大学电力学院	364	6010	41.0	65.0
2	胡宗波	华南理工大学电力学院	29	1337	17.0	29.0