碳纳米管的K掺杂

• 作者: 李勇 王万录 胡陈果 赵作峰
• 来源期刊: 重庆大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 掺杂 电阻率
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 基础理论研究
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TQ127.1|TG383
• 字数: 3382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-582X.2002.08.011

摘要

对碳纳米管掺杂特性的了解是控制其价电子的关键.研究发现:单壁碳纳米管进行K掺杂后,其电阻率和转折温度 T (高于此温度后,dρ/dT的符号由负变为正)都会变小;其电阻会随着掺杂浓度的升高而单调下降,直至饱和.文章还对半导体和金属单壁碳纳米管的K掺杂行为通过光吸收谱进行了研究,另外把分子动力学用于了预测K掺杂单壁碳纳米管的结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学应用科学与技术系	109	849	16.0	22.0
2	胡陈果	重庆大学应用科学与技术系	26	224	8.0	14.0
3	李勇	重庆大学应用科学与技术系	80	1657	21.0	38.0
4	赵作峰	重庆大学应用科学与技术系	5	52	4.0	5.0