半导体光放大器宽带ASE噪声谱数值模型

• 作者: 刘应开 杜雷鸣 陈俊
• 来源期刊: 云南师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体光放大器 ASE噪声 空间烧孔
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: O482.7
• 字数: 3182字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9793.2003.05.005

摘要

采用宽带数值模型,计算了半导体光放大器(SOA)中宽带ASE谱在空间和频域的演化.结果表明,在SOA有源区内的载流子密度分布是高度非均匀的.在小信号注入时,正向和背向ASE是引起SOA中强的纵向空间烧孔效应的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘应开	云南师范大学物理与电子信息学院	38	81	5.0	6.0
2	杜雷鸣	云南师范大学物理与电子信息学院	18	20	2.0	3.0
3	陈俊	云南师范大学物理与电子信息学院	9	13	2.0	3.0