单模光纤的瑞利散射损耗研究

• 作者: 任国斌 娄淑琴 王智 简水生
• 来源期刊: 铁道学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光纤损耗 瑞利散射 功率限制因 掺杂
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 3382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-8360.2003.05.012

摘要

通过分析单模芯层掺锗、纯SiO2芯(包层掺氟)光纤的Rayleigh散射损耗特性,得到了光纤结构参数芯径和相对折射率差与Rayleigh散射损耗的关系.分析表明,单模光纤的Rayleigh散射损耗与功率限制因子密切相关;对芯层掺锗单模光纤,其Rayleigh散射损耗主要由相对折射率差决定;而纯SiO2芯掺氟单模光纤的Ray-leigh散射损耗则主要由芯径大小决定.本文结论对于超低损耗光纤的设计和制造具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简水生	北京交通大学光波技术研究所	163	1433	20.0	26.0
2	娄淑琴	北京交通大学光波技术研究所	94	897	19.0	24.0
3	任国斌	北京交通大学光波技术研究所	46	571	14.0	21.0
4	王智	北京交通大学光波技术研究所	80	587	13.0	21.0