新型垂直腔面发射激光器的最优化设计模式

• 作者: 廉鹏 朱文军 沈光地 邹德恕 郭霞 高国
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多有源区 隧道再生 VCSELs 功率效率
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 激光技术与器件
• 页码范围: 157-161
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.005

摘要

本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阈值电流更小、输出功率更大的器件.同时,通过对这种器件功率效率的分析,总结出针对这种新型结构的以固定工作电流及串联电阻为参数的最优化DBR反射率公式,并且就功率效率与工作电流、串联电阻及反射率的关系进行了讨论,这将对器件的合理设计以及器件制备具有实质性的指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	邹德恕	北京工业大学光电子技术实验室	58	270	10.0	12.0
4	朱文军	北京工业大学光电子技术实验室	13	32	3.0	5.0
5	高国	北京工业大学光电子技术实验室	22	459	8.0	21.0
6	廉鹏	北京工业大学光电子技术实验室	15	86	6.0	8.0