压埋法制备MgB2超导材料的工艺

• 作者: 吴涛 崔运国 沈临江 蔡永明 袁丕方 顾大伟
• 来源期刊: 南京工业大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 临界温度 烧结温度 保温时间 剩余电阻率比
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TM26+2
• 字数: 3211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2003.03.011

摘要

介绍了一种用压埋法合成块状MgB2超导体的新方法.采用该方法得到的样品的临界温度可高达38.4 K,与常规方法得到的样品的临界温度相近.对这种方法的合成工艺进行了探讨,发现烧结温度(Ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大.在相同的0.5 h保温时间条件下,烧结温度在1 073～1 123 K温区获得的样品临界温度最高.固定烧结温度(1 123 K),不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低.进一步对样品的剩余电阻率比(RRR)进行研究,实验结果表明随着RRR数值的增加临界转变温度下降.这可能与样品内过量的杂质有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡永明	南京工业大学理学院	8	94	5.0	8.0
2	顾大伟	南京工业大学材料科学与工程学院	13	34	4.0	4.0
6	沈临江		15	33	4.0	4.0
7	袁丕方	南京工业大学理学院	2	7	1.0	2.0
8	崔运国	南京工业大学材料科学与工程学院	10	53	5.0	7.0
12	吴涛	南京工业大学材料科学与工程学院	2	9	2.0	2.0