CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展

• 作者: 余惠琴 闫联生
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 工学
• 关键词: CVD Si3N4陶瓷 氧化行为 氧化模型
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2003.03.004

摘要

概述了CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为.Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si-O-N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能.介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD-Si3N4陶瓷氧化行为的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫联生		9	213	8.0	9.0
2	余惠琴		7	124	5.0	7.0