高频MOSFET并联运行及驱动特性研究

• 作者: 冷朝霞 王华民 苏娟
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高频 MOSFET 并联 驱动电路 均流
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 352-355
• 页数: 4页
• 分类号: TN609
• 字数: 1772字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2003.04.013

摘要

提出一种高频MOSFET驱动电路,分析研究了高频MOSFET双管并联动态开关模式下出现的不均流问题.小功率电路实验结果表明,采取两个并联MOSFET对称分布,且通过调节栅极输入电阻使两个MOSFET特性参数匹配等措施,可获得较好的均流效果,在1 MHz工作频率下可实现两管同时开关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冷朝霞	西安理工大学自动化与信息工程学院	23	215	10.0	14.0
2	王华民	西安理工大学自动化与信息工程学院	42	586	13.0	23.0
3	苏娟	西安理工大学自动化与信息工程学院	6	27	2.0	5.0