氨络合物体系中镍在玻璃碳上的电化学成核机理

• 作者: 张九渊 曹华珍 郑利峰 郑国渠
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 镍电沉积 电结晶 氨络合物,成核
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 882-885
• 页数: 4页
• 分类号: TQ53
• 字数: 2913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2003.06.028

摘要

采用循环伏安法和计时电流法研究了氨络合物体系中镍在玻璃碳上电结晶的初期行为.结果表明,镍在该基体上的沉积没有经历UPD过程,镍的电沉积经历了晶核形成过程,在所研究的外加电位范围内其电结晶按连续成核和三维生长方式进行,外加电位对晶体生长具有显著的影响.通过分析恒电位暂态曲线,求出镍离子的扩散系数D,以及不同外加电位下的饱和晶核数密度Nsat,探讨了外加电位对成核作用的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑国渠	浙江工业大学材料科学与工程研究所	67	444	12.0	17.0
2	张九渊	浙江工业大学材料科学与工程研究所	31	587	12.0	24.0
3	曹华珍	浙江工业大学材料科学与工程研究所	53	347	10.0	16.0
4	郑利峰	浙江工业大学材料科学与工程研究所	7	67	5.0	7.0