CIS/CIGS薄膜的制备技术与其生长机理研究

• 作者: 刘惟一 周志强 孙云 孙钟林 张加友 李长健 李风岩
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 后硒化 CIS 结构 铜铟硒薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: TK615
• 字数: 2368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2003.z1.020

摘要

多晶CuInSe2或称Cu(In,Ga)Se2(简称GIS或CIGS)材料在薄膜太阳电池中具有重要的应用.GIS/CIGS的制备方法很多,制备方法不同,CIS的形成机理也不相同,本文对几种典型的制备方法的形成机理做了简要的讨论,并应用XRD、DSC手段,对于金属预制层后硒化法的薄膜的形成机理进行了研究.实验结果显示,溅射法制备的预制层有5种相同时存在,衬底温度升高到220℃,Se熔化后,薄膜中化学反应剧烈,有三元相产生;至350℃,三元相转化成了黄铜矿CuInSe2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志强	南开大学光电子所	116	369	10.0	16.0
2	孙云	南开大学光电子所	33	390	11.0	19.0
3	孙钟林	南开大学光电子所	45	304	11.0	15.0
4	张加友	南开大学光电子所	5	76	3.0	5.0
8	李风岩	南开大学光电子所	1	1	1.0	1.0
9	刘惟一	南开大学光电子所	1	1	1.0	1.0
10	李长健	南开大学光电子所	16	191	6.0	13.0