HFPECVD法沉积BN薄膜及其生长机理的研究

• 作者: 张溪文 董博 韩高荣
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: BN薄膜 射频功率 气流量 机理
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 847-850
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 1616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2004.06.018

摘要

本文介绍了用HFPECVD(hot filament plasma enhanced chemical vapor deposition)法制备BN薄膜.通过红外吸收谱和x射线衍射图谱分析确定,射频功率和反应气体(N2)气流量显著影响薄膜中立方相BN(c-BN)的相对含量.当射频功率小于200W时,薄膜中立方相的相对含量随它的增加而增大;而当射频功率大于200W时,则随它增加而减小.当N2气流量增加时,薄膜生长速率增加,但立方相的相对含量却减少.最后通过对不同沉积时间样品的红外吸收谱的分析对BN薄膜的生长机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	硅材料国家重点实验室浙江大学材料系	12	117	6.0	10.0
2	董博	硅材料国家重点实验室浙江大学材料系	1	1	1.0	1.0
3	张溪文	硅材料国家重点实验室浙江大学材料系	3	28	1.0	3.0