h-BN 薄膜表面 PMMA 残留去除研究

• 作者: 吕燕飞 张琪 赵士超 金圣忠
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 六方氮化硼 转移 PMMA 残留物
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 61-65
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2016.06.013

摘要

化学气相沉积法(CVD)制备的六方氮化硼薄膜(h-BN)的清洁转移一直备受关注,h-BN 从生长基底向其它目标基底转移过程中会引入 PMMA 残留物,影响 h-BN 薄膜的性质和应用。为研究PMMA 残留物的去除,首先采用低压化学气相淀积法制备了 h-BN 薄膜并转移至基底表面,然后分别采用丙酮溶解、还原热处理、氧化热处理的方法去除 h-BN 薄膜转移过程中 PMMA 残留物。研究结果发现,丙酮溶解和还原热处理都不能有效去除 PMMA 残留,长时间的氧化热处理可以彻底去除 PMMA 残留。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕燕飞	杭州电子科技大学材料物理研究所	13	22	2.0	4.0
2	赵士超	杭州电子科技大学材料物理研究所	11	7	2.0	2.0
3	张琪	杭州电子科技大学材料物理研究所	3	6	2.0	2.0
4	金圣忠	杭州电子科技大学材料物理研究所	1	0	0.0	0.0