PECVD沉积和原位退火时间对h-BN薄膜组成及光学带隙的影响

• 作者: 杨建锋 王波 秦毅 赵婷
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: h-BN薄膜 沉积时间 退火时间 光学带隙
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 729-734
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 字数: 3388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2014.13549

摘要

采用射频等离子增强化学气相沉积设备，以高纯N2和B2H6为气源，制备了系列h-BN薄膜，得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下，研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明：在衬底温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下，沉积时间对h-BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响，且光学带隙与膜厚呈指数关系变化。700℃原位退火不同时间对 h-BN 薄膜的结晶质量有所影响，而物相和光学带隙基本没有改变。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王波	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	41	390	12.0	18.0
2	秦毅	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	赵婷	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	14	235	8.0	14.0
4	杨建锋	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	48	283	10.0	14.0