c-BN薄膜的生长机制

• 作者: 严辉 宋雪梅 王波 陈光华
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 关键词: 立方氮化硼 薄膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2000,（z2）
• 所属期刊栏目: 薄膜材料
• 页码范围: 637-639
• 页数: 3页
• 字数: 2485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.025

摘要

立方氮化硼(c-BN)薄膜因其优异的机械、电学特性而有着广泛的应用前景.本文在大量的实验研究基础上,阐明衬底温度和荷能粒子轰击的重要作用,并综合分析了其他研究者的结果,较全面地论述了c-BN薄膜沉积过程中非晶层和h-BN层的形成以及c-BN相的形核长大机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料学院	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料学院	80	638	11.0	23.0
3	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
4	宋雪梅	北京工业大学材料学院	44	498	11.0	21.0