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Evidence of New Structure Formation in C-doped SiO2 after 4.57 MeV／u Pb Ion Irradiation
Evidence of New Structure Formation in C-doped SiO2 after 4.57 MeV／u Pb Ion Irradiation
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摘要：
推荐文章
Zircon U–Pb age and geochemical constraints on the origin and tectonic implication of the Tuotuohe C
Zircon U–Pb chronology
Zircon Hf isotopic
Delamination
Tuotuohe region
Qinghai–Tibetan Plateau
SiO2/SiO2复合材料高温介电性能演变规律及温度特性研究
透波材料
有效媒质理论
介电系数
介电损耗
采用Ag-Cu-Ti钎料真空钎焊SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料
SiO2f/SiO2复合陶瓷
C/C复合材料
Ag-Cu-Ti
界面反应层
抗剪强度
SiO2颗粒尺寸对Al与SiO2反应动力学的影响
Al-SiO2反应
颗粒尺寸
反应动力学
内容分析
关键词云
关键词热度
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(/年)
文献信息
| 篇名 | Evidence of New Structure Formation in C-doped SiO2 after 4.57 MeV／u Pb Ion Irradiation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 结构编队 二氧化硅 碳杂质 铅离子 放射性 相位变换 | ||
| 年，卷（期） | 2003,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 56 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | O571.3 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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结构编队
二氧化硅
碳杂质
铅离子
放射性
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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出版地：
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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语种：
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1640
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