横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟

• 作者: 张世林 莫太山 郑云光 郭维廉 郭辉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 近红外光电探测器 器件模拟
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 242-244，247
• 页数: 4页
• 分类号: TN364.2
• 字数: 3054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.04.007

摘要

采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析.结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道.在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布,光吸收层基本完全耗尽,光生载流子得到有效收集;与Si的光电响应相比,出现较明显的响应波长范围向长波长方向扩展、响应峰值波长向长波长方向移动,证实了探测器结构的有效性和其良好的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世林	天津大学电子信息工程学院	109	334	8.0	11.0
2	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
3	郑云光	天津大学电子信息工程学院	28	73	6.0	6.0
4	郭辉	天津大学电子信息工程学院	18	75	5.0	8.0
5	莫太山	天津大学电子信息工程学院	6	5	1.0	1.0