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摘要:
通过对ELANTEC公司的EL5X20 CMOS Rail-to-Rail运算放大器的版图结构、电路原理进行分析,利用UMC公司的hspice leve149(sim3.3)0.6um N阱双多晶双金属高压工艺MODEL进行运算放大器参数仿真拟合,研究了国外的先进放大器设计方法,为高性能放大器研制奠定了基础.
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文献信息
篇名 一种高性能CMOS运算放大器的原理分析
来源期刊 辽宁大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 CMOS 运算放大器 Rail-to-Rail 仿真
年,卷(期) 2003,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 132-134
页数 3页 分类号 TN312
字数 1001字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-5846.2003.02.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 尹光 6 66 3.0 6.0
2 杨松 辽宁大学物理系 63 259 10.0 13.0
3 马利 辽宁大学物理系 24 91 5.0 8.0
4 杨学昌 辽宁大学物理系 2 35 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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2009(1)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
运算放大器
Rail-to-Rail
仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
辽宁大学学报(自然科学版)
季刊
1000-5846
21-1143/N
大16开
沈阳市皇姑区崇山中路66号
8-147
1974
chi
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