氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善

• 作者: 唐有青 张坤 李仁豪 李作金 李恒 游志朴
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 氦诱生微孔 二极管 热处理 漏电流
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 131-134
• 页数: 4页
• 分类号: TN311
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.02.016

摘要

高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔.以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响.在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李恒	四川大学物理系	19	124	7.0	10.0
2	李仁豪		24	60	5.0	6.0
3	游志朴	四川大学物理系	4	4	1.0	2.0
4	张坤		12	64	6.0	7.0
5	李作金		3	5	1.0	2.0
6	唐有青	四川大学物理系	2	1	1.0	1.0