烧结工艺对Si3N4-SiC材料性能的影响

• 作者: 史琳琳 张明 曾令可 王慧 程小苏
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅结合碳化硅 烧结 理论密度 气孔率 氮化率
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 416-419
• 页数: 4页
• 分类号: TQ175
• 字数: 4718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.026

摘要

本文采用氮化硅作为碳化硅材料的结合相的方法制备氮化硅结合碳化硅耐火材料,通过对氮化硅结合碳化硅的烧结工艺过程的探讨,推导了理论密度、气孔率与生坯密度的关系及影响材料氮化率的关系式,分析了材料性能与烧结工艺参数之间的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王慧	华南理工大学材料学院	239	2570	25.0	38.0
2	曾令可	华南理工大学材料学院	364	3856	30.0	43.0
3	程小苏	华南理工大学材料学院	149	1508	19.0	31.0
4	张明	华南理工大学材料学院	60	723	14.0	24.0
5	史琳琳	华南理工大学材料学院	10	214	7.0	10.0