Si10团簇与Si(111)面碰撞的紧束缚分子动力学模拟

• 作者: 尹钊 李延龄
• 来源期刊: 东南大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 紧束缚分子动力学 团簇 碰撞 外延生长
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 页码范围: 815-819
• 页数: 5页
• 分类号: O561.5
• 字数: 4292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0505.2003.06.032

摘要

利用紧束缚分子动力学方法模拟研究了Si10团簇与Si(111)表面碰撞的微观过程.研究了入射动能在10～60eV之间的碰撞过程,给出了不同时刻体系的原子位置的微观状态图.结果表明:Si10与Si(111)面碰撞时,吸附在晶体表面的能量域值为20eV,替位域能为30eV,损伤域能为40eV;入射能量大于50eV时,晶体表面严重损伤并且在60eV时,发现在外延层有Si7团簇生成;Si10团簇保持其结构特性吸附在Si(111)表面,需要的最佳能量在10～20eV之间,进而通过对碰撞结果的讨论得到了改变轰击能量可以控制外延生长的结构的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹钊	徐州师范大学物理系	47	141	5.0	10.0
2	李延龄	徐州师范大学物理系	11	25	3.0	5.0