纳米GaP材料的介电特性

• 作者: 崔得良 张兆春 邹陆军
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米 GaP 相对介电常数 介电损耗
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 688-691
• 页数: 4页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2979字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.007

摘要

对在450 ℃条件下进行1 h普通烧结制得的纳米GaP块体(～51 nm)的相对介电常数(εr)、介电损耗(tgδ)与频率(f)、温度(T)的关系进行了研究. 测量结果表明: 烧结温度对纳米GaP块体的相对介电常数和介电损耗具有显著的影响; 几种介电特性和测量频率、温度关系曲线的特征符合由德拜介电极化理论进行分析得出的结论. 在介电特性温度谱图上出现极值, 表明在外电场作用下纳米GaP块体存在界面极化、转向极化和松弛极化等几种主要极化机制; 同时, 介电特性温度谱图上附加峰的出现预示着纳米GaP块体存在某种复合缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔得良	山东大学晶体材料研究所	44	286	9.0	13.0
2	张兆春	上海大学材料科学与工程学院	21	43	4.0	5.0
3	邹陆军	上海大学材料科学与工程学院	4	19	3.0	4.0