H+2,H+3团簇离子在沟道条件下的背散射质子产额测量

• 作者: V.A.Khodyrev V.S.Kulikauskas 杨朝文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 团簇 沟道效应 库仑爆炸 背散射
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 1895-1900
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3509字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.08.013

摘要

采用卢瑟福背散射方法,测得了每质子能量为650 keV的H+2,H+3团簇离子在Si晶体<100>和<110>沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现,由于H+2,H+3团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应,H+2的背散射质子产额大于H+的背散射产额,而H+3的背散射质子产额又大于H+2的背散射质子产额.通过计算,分别得到了H+2,H+3在<100>和<110>沟道方向的背散射质子产额相对于随机方向背散射产额之比随深度的分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨朝文	四川大学物理科学与技术学院原子核科学技术研究所	55	129	6.0	9.0
2	V.A.Khodyrev	莫斯科大学核物理研究所莫斯科	1	1	1.0	1.0
3	V.S.Kulikauskas	莫斯科大学核物理研究所莫斯科	1	1	1.0	1.0