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摘要:
GaN epilayers were grown on sapphire substrates by metal-organic chemical vapour deposition. Metal-semiconductor-metal photoconductive detectors were fabricated using this material. The photocurrent properties ofthe detectors were measured and analysed. The spectrum response shows a high sensitivity in the wavelength regionfrom 330 to 360nm, with a peak at 358nm and a sharp cutoff near 360nm. The maximum responsivities at 358nmwere 700A/W (2V) and 7000A/W (30V). The relationship between responsivity and bias indicates that the responsivityincreases linearly with bias until 30V. The influence of the spacing between two electrodes on the detector responsivitywas also studied.
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文献信息
篇名 Photocurrent properties of high-sensitivity GaN ultraviolet photodetectors
来源期刊 中国物理(英文版) 学科
关键词 GaN photocurrent photodetectors responsivity
年,卷(期) 2003,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 785-788
页数 4页 分类号
字数 语种 英文
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期刊影响力
中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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