门极换向晶闸管的纵向结构研究

• 作者: 吴春瑜 朱长纯 王颖 白继彬
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 隔离结构 工艺模拟 腐蚀
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 长江学者论坛
• 页码范围: 849-852
• 页数: 4页
• 分类号: TN342.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2003.08.019

摘要

基于对影响门极换向晶闸管(GCT)阻断能力的限制因素的理论分析,对其N基区的宽度进行了计算.结果表明,在同等耐压下,GCT所采用的硅片厚度较传统门极可关断晶闸管减薄约1/3.利用二维工艺模拟器对器件进行了二维工艺模拟,并对器件的纵向结构参数进行了优化. 采用湿法腐蚀工艺实现了门极和阴极的隔离结构,实验结果表明:当腐蚀的深度大于20 μm后,由于腐蚀反应生成的副产物阻止了腐蚀液与硅表面充分接触,使得腐蚀反应速率下降,且横向腐蚀宽度与纵向腐蚀深度的比值约为0.8,此结论也为GCT的横向参数设计提供了重要的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子与信息工程学院	215	2372	22.0	41.0
2	王颖	西安交通大学电子与信息工程学院	69	1209	15.0	34.0
3	吴春瑜	西安交通大学电子与信息工程学院	6	37	3.0	6.0
4	白继彬		7	20	3.0	4.0