近程碰撞对He+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算

• 作者: 卢其亮 周筑颖 赵国庆
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二次电子发射 Monte-Carlo模拟 近程碰撞 δ电子
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1278-1281
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.05.045

摘要

用Monte-Carlo方法模拟了高速He+离子入射到C,Cu和Al固体表面所诱发的电子发射.用这个程序计算了背向的电子发射产额,并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例,对C,Cu和Al其值分别是0.5,0.55和0.42.对在近程碰撞中产生的高能δ电子(E＞10O eV)对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论,只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大.对于C靶,δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响.计算所得到的电子发射产额与实验结果符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵国庆	复旦大学现代物理所应用离子束物理实验室	11	83	5.0	9.0
2	周筑颖	复旦大学现代物理所应用离子束物理实验室	9	54	5.0	7.0
3	卢其亮	复旦大学现代物理所应用离子束物理实验室	1	0	0.0	0.0