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高性能CMOS LVDS I/O接口单元的设计研究
高性能CMOS LVDS I/O接口单元的设计研究
作者:
刘三清
邹雪城
陈军
雷鑑铭
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
低压差分信号
CMOS
I/O接口
平板显示
摘要:
提出了一种适用于笔记本电脑平板显示器接口的高性能CMOS LVDS I/O接口单元,着重分析了高性能CMOS LVDS I/O接口单元电路结构及其工作原理,基于TSMC的3.3V 0.25μmCMOS SPICE模型,在Cadence的环境下用Spectre仿真器进行模拟,仿真结果充分体现了该LVDS I/O接口单元的高速率、低功耗及低噪声等高性能.
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文献信息
篇名
高性能CMOS LVDS I/O接口单元的设计研究
来源期刊
华中科技大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
低压差分信号
CMOS
I/O接口
平板显示
年,卷(期)
2003,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
76-78
页数
3页
分类号
TN492
字数
1483字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1671-4512.2003.04.026
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
邹雪城
华中科技大学电子科学与技术系
310
2261
21.0
31.0
2
刘三清
华中科技大学电子科学与技术系
31
279
10.0
15.0
3
雷鑑铭
华中科技大学电子科学与技术系
28
161
7.0
11.0
4
陈军
华中科技大学电子科学与技术系
58
303
11.0
15.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2004(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2005(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2006(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2007(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2008(2)
引证文献(0)
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2009(3)
引证文献(0)
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2010(5)
引证文献(0)
二级引证文献(5)
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引证文献(1)
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引证文献(0)
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引证文献(0)
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2017(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2019(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
低压差分信号
CMOS
I/O接口
平板显示
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华中科技大学学报(自然科学版)
主办单位:
华中科技大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1671-4512
CN:
42-1658/N
开本:
大16开
出版地:
武汉市珞喻路1037号
邮发代号:
38-9
创刊时间:
1973
语种:
chi
出版文献量(篇)
9146
总下载数(次)
26
总被引数(次)
88536
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