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摘要:
和传统的独立式电容器技术相比,埋入式电容器技术可提高硅组装的效率、改善电性能、降低电子装配的成本。为满足无线电、RF(射频)便携式通讯产品的需求,将电容日器和印制线路板合为一体,而开发一种满足电子、可靠性和工艺要求的材料具有很大的挑战性。先前的εr=150的记录只是在最近才报道过。据我们所知.这是所报道过的最大K(介电常数)值的聚合物复合材料。本工作中,开发了一种新型的具有超离介电常数(εr~1000)的环氧基复合材料。高介电常数是通过提高聚合物基体中的导电填料的含量获得的。这种新型超高K值的材料还具有低损耗(<0.02)、好的粘接强度和理想的多芯片模块层压工艺兼容性。使用这种材料和旋涂技术制作了一种电容密度为100nF/cm^2的埋入式电容器。这种新型材料是下一代电子产品用集成电容器理想的侯选材料。
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文献信息
篇名 用于埋入式电容器的新型超高介电常数聚合物复合材料
来源期刊 覆铜板资讯 学科 工学
关键词 埋人式无源元件 电子产品 埋入式电容器 介电常数 聚合物 复合材料
年,卷(期) 2004,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 26-27
页数 2页 分类号 TM53
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埋人式无源元件
电子产品
埋入式电容器
介电常数
聚合物
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双月刊
大16开
陕西咸阳10号信箱
1997
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