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Reactive Ion Etching of GaAs, GaSb, InP and InAs in Cl2/Ar Plasma
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Reactive Ion Etching of GaAs, GaSb, InP and InAs in Cl2/Ar Plasma | ||
| 来源期刊 | 半导体光子学与技术(英文版) | 学科 | 工学 |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2004,（3） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 203-207 | |
| 页数 | 5页 | 分类号 | TN305.7 |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | |||
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半导体光子学与技术(英文版)
主办单位：
中国电子科技集团公司第四十四研究所
出版周期：
季刊
ISSN：
1007-0206
CN：
50-1093/TN
开本：
16开
出版地：
重庆市
邮发代号：
创刊时间：
1995
语种：
eng
出版文献量（篇）
643
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769
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