半导体光放大器端面镀膜的实验与研究

• 作者: 常进 黄德修
• 来源期刊: 光通信研究
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体光放大器 减反膜镀制 剩余反射率
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 65-67
• 页数: 3页
• 分类号: TN72
• 字数: 1879字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-8788.2004.05.022

摘要

在中心波长为1 310 nm的InGaAsP半导体激光器的端面镀制了剩余反射率＜10-4的3层减反射膜,得到了自发辐射谱波纹＜0.5 dB的半导体光放大器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄德修	华中科技大学光电子工程系	245	1938	20.0	28.0
2	常进	华中科技大学光电子工程系	2	3	1.0	1.0