杯状纵磁触头纵向磁场滞后时间研究

• 作者: 修士新 刘志远 王仲奕 王季梅
• 来源期刊: 高压电器
• 学科: 工学
• 关键词: 真空灭弧室 磁场滞后时间 触头 涡流 真空电弧
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: TM561
• 字数: 3643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1609.2004.02.003

摘要

用有限元法对杯状纵磁真空灭弧室触头简化的轴对称模型涡流场进行了分析,给出了触头间隙中纵向磁场滞后时间的空间分布,讨论了触头设计参数对纵向磁场滞后时间的影响.计算结果表明,纵向磁场滞后时间沿径向分布的形状近似于凹面朝下的抛物线右半部,在触头边缘处纵向磁场滞后时间随径向位置增大而线性增加.纵向磁场滞后时间沿轴向的分布规律是,靠近触头中心处,纵向磁场滞后时间沿轴向的变化接近一条直线;越靠近触头边缘这种变化越显著,在杯壁中间处呈不规则的"正弦曲线"分布,在触头边缘处呈凹面朝上的抛物线分布.纵向磁场滞后时间与设计参数的关系是:纵向磁场滞后时间随开距的减小而线性增加;随触头直径的减小而单调递减;随触头片厚度的增加而线性增加;触头材料从CuCr50变到CuCr25时纵向磁场滞后时间增幅显著;杯壁厚度和杯高度对纵向磁场滞后时间几乎没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志远	西安交通大学电气工程学院	64	321	12.0	15.0
2	王仲奕	西安交通大学电气工程学院	40	511	15.0	22.0
3	王季梅	西安交通大学电气工程学院	103	845	16.0	25.0
4	修士新	西安交通大学电气工程学院	29	169	8.0	12.0