252 kV真空灭弧室纵磁触头磁场分析及优化

• 作者: 刘志远 王仲奕 王季梅 荣命哲 郑跃胜
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压真空灭弧室 纵向磁场 优化
• 年，卷（期）: 2008,（15）
• 所属期刊栏目: 电机与电器
• 页码范围: 123-129
• 页数: 7页
• 分类号: TM561
• 字数: 5777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-8013.2008.15.021

摘要

真空灭弧室的触头对真空断路器短路电流开断能力和额定电流导通能力有重要的影响.该文采用三维有限元方法对用于252 kv真空灭弧室的单匝线圈纵磁触头的磁场特性进行了单因素分析和正交回归分析,包括电流峰值时纵向磁感应强度、电流过零时纵向磁感应强度和导体电阻值,得到了磁场特性和触头设计参数之间的回归方程,并且找出了影响磁场特性的显著因素.理想的纵向磁场特性应当是电流峰值时纵向磁感应强度强,电流过零时纵向磁感应强度弱,以及导体电阻值小.将基于实验设计的优化、有限元分析和统计分析结合在一起,可以达到这种理想的纵向磁场特性.采用这种方法,得到了一种252 kV纵向磁场触头的优化设计参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志远		64	321	12.0	15.0
2	荣命哲		109	2255	25.0	44.0
3	王仲奕		40	511	15.0	22.0
4	王季梅		103	845	16.0	25.0
5	郑跃胜		3	20	3.0	3.0