真空灭弧室CuCr触头材料发射率研究

• 作者: 刘志远 刘思远 王建华 王振兴 耿英三
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: 真空灭弧室 触头材料 材料发射率 非接触温度测量
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 研究·分析
• 页码范围: 3-7,11
• 页数: 6页
• 分类号: TM561.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.16786/j.cnki.1671-8887.eem.2017.05.001

摘要

真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中.触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度.本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率.利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5～20 μm,加热温度为400～800℃.得到测量波长在5～7 μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量.测得5～7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41.触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建华	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	193	2634	26.0	44.0
2	耿英三	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	170	2157	24.0	39.0
3	刘志远	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	64	321	12.0	15.0
4	刘思远	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	王振兴	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	9	43	4.0	6.0