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摘要:
为了了解纵向磁场下的电弧运动过程,建立了真空灭弧室的3维仿真模型.采用PIC模拟方法对12 kV灭弧室内的电磁场、电弧运动特性进行计算仿真.通过改变触头间距、屏蔽罩尺寸和触头开槽宽度,研究了灭弧室内的电场、磁场分布;对不同触头间距下随时间变化的电弧运动过程和触头表面的电弧分布情况进行了模拟计算.计算结果表明:在真空灭弧室中适当设置屏蔽罩,可有效改善灭弧室内的电场分布;触头铜基上的开槽宽度对磁场会产生影响,宽度越大,磁场强度越大.
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内容分析
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文献信息
篇名 纵磁结构真空灭弧室电磁场及电弧运动特性
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 真空灭弧室 纵磁触头 PIC模拟 电弧运动特性
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 开关
研究方向 页码范围 855-858
页数 分类号 TL50
字数 1973字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20122404.0855
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 严萍 中国科学院电工研究所 191 2402 27.0 36.0
5 赵莹 中国科学院电工研究所 53 396 11.0 15.0
9 王珏 中国科学院电工研究所 140 3295 27.0 54.0
13 徐蓉 中国科学院电工研究所 17 84 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
真空灭弧室
纵磁触头
PIC模拟
电弧运动特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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7
总被引数(次)
61664
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