溶剂热条件下单质直接反应合成GaP纳米晶

• 作者: 于美燕 信春雨 刘振刚 李凯 王琪珑 盖利刚
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaP纳米晶 溶剂热合成 微观形貌
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 字数: 1329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.07.004

摘要

在苯热条件下,以金属镓和白磷为原料直接反应合成了GaP纳米晶,并研究了反应温度对GaP纳米晶物相的影响.微观形貌观测结果则表明,在400℃合成的GaP纳米晶体粒度均匀,而且团聚现象较少.当温度为300℃时,GaP纳米晶的结晶质量较差,而当温度升高到500℃时,GaP纳米晶的结晶完整性得到改善,但是颗粒团聚现象变得比较严重.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李凯	山东大学晶体材料国家重点实验室	53	318	10.0	16.0
2	盖利刚	山东大学化学与化工学院	5	11	2.0	3.0
3	王琪珑	山东大学研究生院	18	103	7.0	9.0
5	于美燕	山东大学化学与化工学院	9	41	4.0	6.0
6	刘振刚	山东大学化学与化工学院	8	26	3.0	4.0
7	信春雨	山东大学研究生院	3	11	2.0	3.0