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摘要:
中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时,出现了闭锁单窗口、多窗口现象.为了获得闭锁窗口的出现原因,借助对窗口现象的有关参考文献的研究,利用计算机电路模拟软件,分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用.在此基础上,提出了解释窗口现象的"三径"闭锁模型.应指出的是,该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持.
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文献信息
篇名 对辐射感应闭锁窗口现象的解释
来源期刊 信息与电子工程 学科 工学
关键词 核电子学 "三径"闭锁模型 计算机模拟 闭锁窗口 闭锁路径 CMOS器件
年,卷(期) 2004,(4) 所属期刊栏目 科研通讯
研究方向 页码范围 314-317
页数 4页 分类号 TL8
字数 3554字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-2892.2004.04.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许献国 中国工程物理研究院电子工程研究所 15 42 4.0 5.0
5 杨怀民 中国工程物理研究院电子工程研究所 5 35 4.0 5.0
6 胡建栋 北京邮电大学电信学院 1 2 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
核电子学
"三径"闭锁模型
计算机模拟
闭锁窗口
闭锁路径
CMOS器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
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7
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