微分脉冲极谱测定痕量铊的研究

• 作者: 何为 范中晓 霍彩红
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 铊 微分脉冲极谱 滴汞电极 4-吗啉二硫代羧酸钾
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 309-311,315
• 页数: 4页
• 分类号: O657.14|O649.4
• 字数: 2420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2004.03.023

摘要

在pH值为5～10的范围内,铊(Ⅰ)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上.用15ml 的1.5 mol/L的HCl该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上用微分脉冲极谱(DPP)法测定痕量的铊(Ⅰ)取得了很好的效果.该分析方法的检测限达到0.025μg/ml,所测定的铊(Ⅰ)浓度的线性范围达到0.05～10μg/ml,标准曲线的相关系数γ=0.999 5,相对标准偏差为±0.90.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何为	电子科技大学微电子与固体电子学院	200	994	12.0	23.0
2	霍彩红	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	45	3.0	3.0
3	范中晓	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	45	3.0	3.0