利用原子力显微镜改变P(VDF/TrFE)聚合物分子链偶极子极性实现数据存储的读/写/擦除/改写

• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 关键词: P(VDF/TrFE)聚合物 压电效应 信息存储 极化
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 微机电系统
• 页码范围: 299-301
• 页数: 3页
• 字数: 467字
• 语种: 中文

摘要

包括读、写、擦除和改写等信息存储现象的产生是由于在外加电压的作用下,铁电体"聚偏二氟乙烯-三氟胸苷"异分子聚合物的分子链偶极子的极性发生了变化.为达此目的,使原子力显微镜工作在压电响应模式下,它比传统的数据存储方法要有优势.将20 nm厚的"聚偏二氟乙烯-三氟胸苷"薄膜放置于原子力显微镜的导电悬臂梁触针和石墨基片之间,直流电通过AFM触针在几微秒的时间内极化铁电畴,同时用交流电来辨识这些纳米尺度(约60 nm)的铁电畴,这些铁电畴的尺寸由外加电压的大小和持续时间等参数来决定,可以实现约19.2 Gb/cm2(120 Gb/in2)的数据存储.