基于铁电聚合物 P（VDF-TrFE）的多级存储研究

• 作者: 傅超 吴阳江 李晓慧 王芳 胡志军 陈雷
• 来源期刊: 南京大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米压印 PFM P(VDF-TrFE) 多级存储
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 684-691
• 页数: 8页
• 分类号: O469
• 字数: 3186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13232/j.cnki.jnju.2015.04.005

摘要

铁电聚合物偏氟乙烯三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))具有可兼容硅基元件和可溶液加工等优点，在未来可擦写式非易失存储领域极具应用前景。构建多级存储态是提高存储密度和降低生产成本的有力途径。以纳米压印为主要实现手段，通过构建高度有序的纳米图案化导电基底的方式，简单快捷地实现了 P(VDF-TrFE)薄膜高密度的多级存储功能。应用压电响应力显微镜(PFM)从微观上观测了图案化导电基底上 P(VDF-TrFE)在电压加载后的极化变化情况，直观地证实了其在外电场的作用下形成了三种不同的极化状态。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王芳	苏州大学软凝聚态物理及交叉研究中心	45	314	12.0	16.0
5	陈雷	苏州大学软凝聚态物理及交叉研究中心	4	6	1.0	2.0
6	傅超	苏州大学软凝聚态物理及交叉研究中心	3	5	1.0	2.0
7	李晓慧	苏州大学软凝聚态物理及交叉研究中心	6	21	2.0	4.0
8	吴阳江	苏州大学软凝聚态物理及交叉研究中心	5	9	2.0	2.0