熔盐电沉积硅的基础研究

• 作者: 唐国章 李运刚 梁精龙 蔡宗英
• 来源期刊: 有色金属(冶炼部分)
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 电沉积硅 熔盐 循环伏安 计时电位法
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 轻有色金属
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TF803.27
• 字数: 1867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7545.2004.03.008

摘要

在FLINAK-Na2SiF6熔盐体系中,以Pt为参比电极、硅钢片为工作电极、石墨为辅助电极,在750℃下,用循环伏安法和计时电位法对Si4+的电化学反应机理和扩散系数进行了研究.结果表明:该熔盐体系进行电沉积硅是可行的,该体系中硅离子的还原为扩散控制的可逆电极过程,且产物不可溶;整个还原过程为Si4++4e→Si0;该熔盐体系中阴极电位不应负于-2V,否则会有Na沉积出来,从而影响沉积层质量;Si4+的扩散系数为:D=5.42×10-11m2/s(C=2.58×103mol/m3).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李运刚	河北理工学院冶金工程系	60	736	15.0	21.0
3	梁精龙	河北理工学院冶金工程系	8	113	6.0	8.0
4	唐国章	河北理工学院冶金工程系	13	192	9.0	13.0
7	蔡宗英	河北理工学院冶金工程系	5	58	5.0	5.0