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摘要:
在均匀的高电场应力下,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变.这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的.在本文中,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度.得到了阈值电压和比例差分峰值,界面陷阱密度和应力时间的关系.此种方法也适用于PMOSFET器件.这是一个简单而快捷的技术.用这个技术实验数据可以在测量的过程中进行分析.
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文献信息
篇名 用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度
来源期刊 北京大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 界面陷阱密度 高电场应力 比例差分 MOSFET
年,卷(期) 2004,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 417-423
页数 7页 分类号 O474
字数 1431字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0479-8023.2004.03.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谭长华 北京大学微电子研究院 48 99 5.0 7.0
2 许铭真 北京大学微电子研究院 52 102 5.0 7.0
3 张贺秋 北京大学微电子研究院 6 20 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
界面陷阱密度
高电场应力
比例差分
MOSFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
北京大学学报(自然科学版)
双月刊
0479-8023
11-2442/N
16开
北京海淀北京大学校内
2-89
1955
chi
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