HgBa2CuO4+δ中载流子分布的研究

• 作者: 刘文利 张酣 韩圣浩
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 结构 结合能 超导电性
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 314-318
• 页数: 5页
• 字数: 2411字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.008

摘要

我们根据一种结构分块模型,计算了与超导转变温度Tc密切相关的块之间相互作用能,讨论了HgBa2CuO4+δ中载流子分布对相互作用能的影响.通过计算不同氧缺陷下,空穴在不同平面以及空穴在Cu-O平面不同位置上对相互作用能的影响,研究了它们与超导电性的关联.计算表明,空穴在Cu-O面上的位置不仅明显地影响到相互作用能的大小,而且影响相互作用能随氧含量的变化趋势,该结果为我们了解载流子在Cu-O面上分布是否均匀提供了一定的线索.结果还表明,HgBa2CuO4+δ中的载流子主要分布在Cu-O平面上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩圣浩	山东大学物理与微电子学院	28	181	8.0	12.0
2	刘文利	山东大学物理与微电子学院	17	36	3.0	5.0