光探测器芯片的高频特性测量

• 作者: 刘宇 孙建伟 张胜利 祝宁华
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 光探测器 微波网络分析仪 频率响应
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 测量技术
• 页码范围: 857-860
• 页数: 4页
• 分类号: TN29
• 字数: 2450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.07.021

摘要

为了克服用共面探针测量光探测器芯片的高频特性对电极结构的限制,提出了一种精确测量光探测器芯片的阻抗和频率响应的新方法.对于任意电极结构的探测器芯片,首先把芯片与测试夹具连接,通过一系列的校准和测量,可以得到夹具的S参数,进而利用微波理论扣除整个测试夹具的影响,得到探测器芯片的S参数,计算出光探测器的阻抗和频率响应特性.用该方法对P极和N极共面的光探测器芯片的阻抗和频率响应特性进行了测量,并与直接用微波探针测量的结果相比较,验证了该方法在50 MHz～16 GHz的频率范围内的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宇	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	202	1899	22.0	36.0
2	孙建伟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	38	344	8.0	17.0
3	祝宁华	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	50	272	9.0	11.0
4	张胜利	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	14	191	9.0	13.0