HWE生长大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜的结构和形貌分析

• 作者: 吴长树 唐利斌 杨宇 杨爱明
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 热壁外延 大面积 硅衬底 碲镉薄膜 结构 表面形貌
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 红外材料器件
• 页码范围: 457-459
• 页数: 3页
• 分类号: TB381
• 字数: 1399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2004.06.018

摘要

用热壁外延法(HWE)生长直径30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜,经XRD测试说明它是晶面为(111)取向的立方闪锌矿结构.SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试,结果发现:Si衬底表面结构粗糙,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致,CdTe薄膜较CdZnTe缓冲层表面结构光滑细密,即缺陷较CdZnTe缓冲层少很多.通过对该片子照像看出其表面如镜面.由此说明大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜可用HWE技术制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学化学与材料工程学院	101	377	9.0	12.0
2	唐利斌		60	279	10.0	12.0
3	杨爱明	云南大学化学与材料工程学院	28	277	10.0	16.0
4	吴长树		4	1	1.0	1.0