不同裂解温度对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能研究

• 作者: 唐耿平 张长瑞 程海峰 范真祥
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si-O-C 聚硅氧烷 先驱体转化 陶瓷基复合材料 裂解温度 弯曲强度
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 航天工程·材料工程
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TQ343
• 字数: 2856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2004.05.004

摘要

以聚硅氧烷为先驱体,研究先驱体转化过程中在不同的裂解温度下对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能影响.结果表明,当裂解温度在700℃、800℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度分别为255.2 MPa、309.0 MPa;当裂解温度在1000℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度为45.3 MPa.对SiCf/Si-O-C复合材料的微观结构及载荷-位移曲线进行分析,发现界面结构是影响SiCf/Si-O-C复合材料性能的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院	138	1800	24.0	32.0
2	程海峰	国防科技大学航天与材料工程学院	109	1599	24.0	33.0
3	范真祥	国防科技大学航天与材料工程学院	13	39	4.0	4.0
4	唐耿平	国防科技大学航天与材料工程学院	35	437	12.0	20.0